专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]高耐蚀风冷机架的制备方法-CN202110596449.9有效
  • 刘正伟;张潇然;管志宏 - 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
  • 2021-05-31 - 2023-08-15 - F04D29/02
  • 本发明公开的一种耐蚀风冷机架的制备方法,能够有效地解决复杂结构内腔防腐难题,本发明通过下述技术方案实现:在机箱模块1承载区域的横梁冷板2与冷板底座3中部插入经过阳极氧化处理的阳极氧化冷板模块4,施以预紧力,使之成为预紧机架;在氧化前进行表面预处理,一是零件成型前的机械处理;二是化学清洗和浸蚀,包括除油、碱腐蚀、光泽处理和清洗工序;完成热处理强化;以钛盐或铬酐为基础的电解溶液,对风冷机架进行微弧氧化和冷板阳极氧化工艺进行AL/Et.A15pc.S阳极氧化,按照色漆和清漆漆膜的划格试验标准进行微弧氧化膜划格试验,达到2级以上技术指标;微弧氧化膜层厚度≥25μm,阳极氧化膜层厚度≥20μm。
  • 高耐蚀风冷机架制备方法
  • [发明专利]一种仿釉面铝合金幕墙板的制备方法-CN202211714712.0在审
  • 舒欢;方荣;舒正柏 - 安徽兆鑫铝业科技有限公司
  • 2022-12-30 - 2023-04-14 - C25D11/14
  • 本发明涉及铝合金处理技术领域,具体涉及一种仿釉面铝合金幕墙板的制备方法,本发明公开的仿釉面铝合金幕墙板的制备方法,经过阳极氧化氧化膜不透明,外观类似瓷釉和搪瓷,具有较高的硬度和耐磨性、良好的绝热性和电绝缘性,其抗蚀性好,具有良好的装饰效果,阳极氧化膜硬度高,耐蚀性强,其装饰效果可以与瓷釉相媲美,而且由于氧化膜不透明,对铝型材表面机加工要求不高,仿釉面效果好,然而仿釉面铝合金幕墙板独有的装饰效果是其他阳极氧化膜所不能比拟的
  • 一种釉面铝合金幕墙制备方法
  • [发明专利]一种铝合金阳极氧化工艺-CN202211045686.7在审
  • 李业海;黄建 - 江苏韩铝汽车零部件有限公司
  • 2022-08-30 - 2022-11-25 - C25D11/12
  • 本发明涉及一种铝合金阳极氧化工艺,所述工艺包括:一次阳极氧化处理;将前处理后的铝合金投入第一阳极氧化液中进行阳极氧化;所述第一阳极氧化液包括50‑150g/L的硫酸以及20‑40g/L的硼酸酯,热处理,将经过一次阳极氧化处理的铝合金在300‑400℃条件下进行热处理;二次阳极氧化处理,将热处理后的铝合金投入第二阳极氧化液中进行阳极氧化;所述第二阳极氧化液包括50‑150g/L的硫酸以及20‑40g/本发明在铝合金表面进行在氧化膜层制造了两种不同的孔径,使得光的散射更加接近陶瓷效果。由于在表面先制造了少量的均匀的孔径,相对于在原始铝合金表面,采用本发明方法得到的膜层更加平整。
  • 一种铝合金阳极氧化工艺
  • [发明专利]陶瓷阳极氧化液及陶瓷阳极氧化工艺-CN201510791086.9在审
  • 江登山;陈俊;王亮 - 惠州市泽宏科技有限公司
  • 2015-11-17 - 2016-03-02 - C25D11/10
  • 本发明涉及阳极氧化液配方及阳极氧化工艺技术领域,尤其涉及陶瓷阳极氧化液及陶瓷阳极氧化工艺,陶瓷阳极氧化液包括以下质量浓度的各组分:草酸钛钾5~100g/L;添加剂A 1~30g/L;添加剂B 1~30g/L;添加剂C 1~20g/L,陶瓷阳极氧化工艺,首先将待陶瓷阳极氧化的铝合金材料置于装有上述陶瓷阳极氧化液的反应槽中,然后陶瓷阳极氧化液加热到15-60℃,通入20-120V的电压,氧化15-80min,即完成陶瓷阳极氧化步骤,陶瓷阳极生成的膜厚是树根状,在硬度上具有普通阳极所无法比拟的优势,扩大了铝合金氧化膜的表面装饰色泽范围,保持漂亮的表面瓷釉感,同时又具有牢固的,满足不同装饰要求的色泽外观,
  • 陶瓷阳极氧化工艺
  • [实用新型]一种半导体芯片-CN201620358491.1有效
  • 诸建平;覃瑞昌 - 浙江聚珖科技股份有限公司
  • 2016-04-23 - 2016-08-31 - H01L23/373
  • 是针对现有的半导体芯片制冷和发电效率低而提供的一种半导体芯片,包括PN极单元层,PN极单元层包括P极和N极,P极和N极通过连接导体连接形成一个子单元,在PN极单元层的上下端的至少一端安装有基板,该基板由绝缘层和导热材料复合而成,绝缘层为搪瓷材料或铝阳极氧化膜本实用新型结构简单,巧妙的将金属导热层与PN极层之间设置搪瓷材料或铝阳极氧化膜进行绝缘,实现将导热层采用金属导热材料,从而大大提高了产品的制冷和发电效率,实用性强。
  • 一种半导体芯片

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